В Корейском престижном «Международном журнале перспективных исследований» опубликованы результаты научно-исследовательских работ, проведенные заведующим кафедрой «Физика и химия», доктором физических наук Ровнагом Рзаевым и профессором этой же кафедры, доктором физических наук Реной Бабаевой в направлении исследования электронных особенностей моноселенидов слоистой структуры AIII BVI , категории А, с показателем импакт фактора 4,588.
В статье, опубликованном в журнале под названием «Влияние электрического поля на фотопроводимость монокристаллов n-InS», исследовано влияние внешней электрической среды на спектральное распределение и люкс-амперную характеристику температуры (77-400K) и интенсивности электрического поля (от очень слабой цены до 2.5·103 V⁄sm цены), в широком спектре изменений фотопроводимости различного рода исходных (при температуре 77 К ), особой устойчивости (от~102 до ~108 Оm·sm) n-İnSe кристаллов.
Научно-исследовательские работы ученых UNEC удостоены сертификата.